第三類半導(dǎo)體碳化硅(SiC)大廠纏斗競(jìng)技賽升級(jí),功率元件龍頭英飛凌(Infineon)捧著滿手長(zhǎng)期合約(LTA)訂單,拍版在馬來西亞建全球最大8吋SiC晶圓廠;此舉頗有跟不久前才宣布在重慶建8吋晶圓的SiC龍頭意法(STM)互別苗頭的意味。
供應(yīng)鏈業(yè)者指出,因成本競(jìng)爭(zhēng)力較6吋提升明顯,近年各SiC大廠紛紛加碼8吋晶圓新產(chǎn)能投資。英飛凌全球8吋新廠拍版后,有如為SiC投入一顆深水炸彈,英飛凌與意法的纏斗順勢(shì)升級(jí),而其它IDM廠也將大步跨入此戰(zhàn)場(chǎng),這可從三個(gè)切面來探討。
【資料圖】
其一,同樣鎖定中國(guó)市場(chǎng)。年初英飛凌與中國(guó)SiC晶圓廠天岳、天科合達(dá)簽定最受矚,因同步為中國(guó)SiC基板品質(zhì)掛保證。
近日,外資機(jī)構(gòu)分析,英飛凌原有基板來源還包括龍頭WolfSpeed、安森美(On-Semi)、日本羅姆(Rohm)等,值得注意的是,中系基板供應(yīng)已佔(zhàn)其需求量約2成,未來幾季供應(yīng)量可望倍增。
因良率難掌控,“擁SiC基板、擁天下”成顯學(xué)。業(yè)者指出,英飛凌是IDM廠中極少數(shù)未跨入SiC長(zhǎng)晶自制者。年初在基板多重布局,被視為是新SiC晶圓廠將登場(chǎng)的起手勢(shì),以續(xù)朝2030年在SiC市場(chǎng)達(dá)30%市佔(zhàn)率目標(biāo)邁進(jìn)。
市場(chǎng)一度觀望,英飛凌是否如車用一線供應(yīng)商(Tier 1)博世(Bosch)般加碼美國(guó)投資SiC、讓該供應(yīng)鏈如虎添翼?考量美中關(guān)係,這讓中國(guó)供應(yīng)鏈暗自緊張,如今確定于馬來西亞建廠、使其鬆口氣。
另外,依東協(xié)貿(mào)易輸入中國(guó)免課稅、及地理位置來看,該廠或以支援中國(guó)、亞洲市場(chǎng)成份更多,但也暗示英飛凌在中國(guó)建廠的機(jī)率降低了;對(duì)比的是SiC主對(duì)手意法攜手三安,在中國(guó)重慶建8吋SiC晶圓廠,三安還將為其量身打造8吋基板新廠。
其二,鎖定客戶群不同。英飛凌新廠奠基于各客戶的預(yù)付款與LTA,其包括客戶來自車用、再生能源、儲(chǔ)能、工業(yè)用等。
車用的客戶有福特(Ford)、上汽、奇瑞;另有太陽能逆變器(PV Inverter)大廠SolarEdge,3家中系太陽能暨儲(chǔ)能系統(tǒng)廠;還有全球能源管理及自動(dòng)化大廠施耐德電機(jī)(Schneider Electric)預(yù)定硅基(Si)及SiC功率產(chǎn)品。
實(shí)際上,意法與三安的重慶新廠,雖隻字不提最大客戶Tesla,但市場(chǎng)認(rèn)為,該案就是為Tesla上海廠而來、以助其符合政府在地自制率要求,再者,也為中國(guó)電動(dòng)車供應(yīng)鏈快速成長(zhǎng)的內(nèi)需市場(chǎng)預(yù)先打造。
其三,兩種技術(shù)纏斗愈演愈烈。英飛凌強(qiáng)調(diào),8吋新廠將利用業(yè)界最佳的SiC溝槽式(Trench)技術(shù),有效區(qū)隔市場(chǎng),其為該技術(shù)的代表廠;另一技術(shù)即為意法主導(dǎo)的平面型(Planar)。
業(yè)者補(bǔ)充,前者的技術(shù)結(jié)構(gòu)較複雜、良率掌控不易、但節(jié)約SiC基板用量;后者較簡(jiǎn)易、穩(wěn)定,但基板用量相對(duì)大,兩技術(shù)仍在纏斗中、難分高下。
只是,前波決戰(zhàn)點(diǎn)為Tesla Model 3率先採(cǎi)用平面型,這讓意法坐擁SiC龍頭寶座,也帶進(jìn)其它車廠跟進(jìn)使用,而安森美也被傳出已切入Tesla供應(yīng)鏈。
如今英飛凌加大溝槽式產(chǎn)能、又兵分多路加速滲透各領(lǐng)域,頗具圍剿以車用為主的平面式市場(chǎng),實(shí)際上,諸多業(yè)者也積極朝溝槽式邁進(jìn),例如安森美正投入開發(fā)溝槽式SiC金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體(MOSFET),計(jì)劃2024年推出樣本。
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